● 工作溫度：最高900℃（<10min）；
   800℃（<30min）；600℃（長期）
● 加熱區：380mm    雙溫區：190mm+190mm
● 熱偶：進口K型熱偶, 緊貼在放樣品的AlN片下
● 電源：AC380V, 50Hz 兩相   最大功率：24KW

● 雙層殼體結構，并帶有風冷系統，使殼體表面溫度低于60℃
● 采用短波紅外燈管對樣品加熱，可達到快速加熱的效果
● 樣品臺滑軌周圍嵌有可伸縮波紋管，允許樣品在真空或氣氛保護環境下移動,以達到快速加熱和快速降溫的效果
● 內爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命
● 設有開門斷電功能,提高實驗安全性

8 根紅外燈管 (每個燈管功率1.5KW）

● 最快升溫速率：
室溫~800℃： 50 ℃/s，800℃~900℃： 10℃/s
● 最快降溫速率：
60℃/min (在 200 mtorr下), 117℃/min (在一個大氣壓下) (參考值，具體請點擊)
最慢降溫速率10℃/min

● 包含一款808P型溫度控制器
● PID自動控溫系統
● 智能化30段可編程控制
● 控溫精度：±1℃
● 默認DB9 PC通信連接端口
● 通過MET認證
● 可選購電腦溫度控制軟件(用于YD518P系列控制器)用于控制升溫曲線和導出數據。

● 石英管尺寸: 110 O.D x 106 I.D x 740mm
● AlN 具有很高的熱導率，所以在樣品放置的區域有很好的溫度均勻性±5℃
● 可選：3"O.D的石墨襯底替代AlN陶瓷片
● 可選：將含坩堝蓋蓋規格為87 O.D×71 I.D×12 H mm的石墨坩堝設計三個坩堝架，則可被改造成一個RTE,CSS或HPCVD爐，另外石墨坩堝表面涂有SiC涂層。
● 樣品架也可從法蘭上拆卸，與其他類型RTP爐配套使用。
● 一片3" AlN 片放在樣品架上用來放置需要退火的樣品。
● 3" 的樣品架固定在滑動法蘭上，材質為石英材料。

● KF-25D型不銹鋼高真空法蘭上配有兩個高溫硅膠O形圈并安裝有針閥和水冷套。
● 在冷卻水開啟的情況下設備可長期在≦600℃溫度下工作。
● 循環水流量:0.5 m3/h
● 法蘭上安裝有滑軌可直接推拉操作，取放樣品簡單便捷，同時也可滿足其他特殊工藝的要求。
● 可插入式的鎧裝熱電偶，使測得樣品溫度更加精確。

● 用機械泵真空度達 50 mtorr
● 用分子泵真空度可達 10E-4 torr

● 如果您沒有水冷機，選購一臺冷卻機是必要的。
● 我們建議采用循環水制冷器作為冷卻系統（可節約用水）

● 此設備標配一個機械壓力表
● 可選配其他數字真空計，具體請點擊下方圖片或咨詢銷售部

此爐可以增加鍍SiC的石墨坩堝改造成RTE(快速熱蒸發）爐（可查看下方的圖片自己制備RTE）

1000（L）×540（W）×800（H） mm

180Kg

● 您可以將RTP爐，真空泵及混氣系統搭建組合為真空爐或CVD系統
● 為帶氣氛保護下得到較快的降溫速度<10℃/s, 你可以選擇帶滑軌的 RTP 爐
● 你可選購壓力控制模塊來監控并保持工作腔室壓力穩定。
● 標配流量計量程范圍：16-160 ml/min，您可以在我公司選購其他流量計

● 爐管內氣壓不可高于0.02MPa
● 由于氣瓶內部氣壓較高，所以向爐管內通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全。
● 當爐體溫度高于1000℃時，爐管內不可處于真空狀態，爐管內的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態
● 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊
● 石英管的長時間使用溫度＜1100℃
● 對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數，若氣壓表示數大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發生（如爐管破裂，法蘭飛出等）
● 這款爐子也可以被改造成RTE,CSS或HPCVD爐使用，同時石墨坩堝被碳化硅涂層(點擊下圖了解如何自行搭建RTE爐)

● 在進行化學氣相沉積后，石墨烯可從金屬催化劑轉移到另一個基片襯底上，此法可被廣泛應用制備二維材料。通過CVD法生長的石墨烯，表面平整度高且無殘渣。

所有電器元件（>24V）都通過UL?/?MET?/?CSA認證CE認證/若客戶出認證費用，本公司保證單臺設備通過德國TUV認證或CAS認證